Sottostrat tal-Arsenidu tal-Gallju

Sottostrat tal-Arsenidu tal-Gallju

Wieħed mill-benefiċċji primarji tas-sottostrat tal-arsenide tal-gallju huwa l-mobilità għolja tal-elettroni tiegħu. Għandha mobilità tal-elettroni akbar meta mqabbla ma 'materjali semikondutturi oħra bħas-silikon, li jagħmilha ideali għal apparati b'veloċità għolja u b'ħoss baxx.
Ibgħat l-inkjesta
Chat Now
Deskrizzjoni
Parametri tekniċi
Deskrizzjoni tal-prodott

 

Wieħed mill-benefiċċji primarji tas-sottostrat tal-arsenide tal-gallju huwa l-mobilità għolja tal-elettroni tiegħu. Għandha mobilità tal-elettroni akbar meta mqabbla ma 'materjali semikondutturi oħra bħas-silikon, li jagħmilha ideali għal apparati b'veloċità għolja u b'ħoss baxx. Barra minn hekk, għandha bandgap diretta li tippermettilha tipproduċi dijodi effiċjenti li jarmu d-dawl li jarmu fir-reġjuni viżibbli u infra-aħmar.

 

Vantaġġ ieħor ta 'dan is-sottostrat huwa l-konduttività termali għolja tiegħu, li tgħin biex is-sħana tinħela malajr. Din il-karatteristika hija speċjalment utli fl-applikazzjonijiet tal-elettronika tal-enerġija fejn id-dissipazzjoni tas-sħana hija kritika. Is-sottostrat ta 'l-arsenide tal-gallju għandu wkoll vultaġġ għoli ta' tqassim, li jiżgura l-affidabbiltà tiegħu anke taħt kundizzjonijiet ta 'vultaġġ għoli.

 

Dimensjonijiet Standard u Tolleranzi għal Wafer GaAs b'dijametru ta '150mm

Proprjetà

Dimensjoni

Tolleranza

Unitajiet

Dijametru

150

+/-0.5

Mm

Ħxuna, Punt taċ-Ċentru

     

Għażla A

675

+/-25

μm

Għażla B

550

+/-25

μm

Orjentazzjoni talja

[010]

+/-2

gradi

Fond talja

1

+0.25/-0.0

Mm

       

Dimensjonijiet Standard u Tolleranzi għal Wafer GaAs b'dijametru ta '100mm

Proprjetà

Dimensjoni

Tolleranza

Unitajiet

Dijametru

100

+/-0.5

Mm

Ħxuna, Punt taċ-Ċentru

675

+/-25

μm

Tul Ċatt Primarju

18

+/-2

Mm

Tul Ċatt Sekondarju

18

+/-2

Mm

US/SEMI u E/J-Flat-Option disponibbli

     
       

Dimensjonijiet Standard u Tolleranzi għal Wafer GaAs ta 'Dijametru ta' 200mm

Proprjetà

Dimensjoni

Tolleranza

Unitajiet

Dijametru

200

+/-0.5

Mm

Ħxuna, Punt taċ-Ċentru

625

+/-25

μm

Orjentazzjoni talja

[010]

+/-2

gradi

Fond talja

1

+0.25/-0.0

Mm

       

Dimensjonijiet Standard u Tolleranzi għal Wafer GaAs ta' Dijametru ta' 3 pulzieri

Proprjetà

Dimensjoni

Tolleranza

Unitajiet

Dijametru

76.2

+/-0.5

mm

Ħxuna, Punt taċ-Ċentru

625

+/-25

μm

Tul Ċatt Primarju

22

+/-2

Mm

Tul Ċatt Sekondarju

11

+/-2

Mm

US/SEMI u E/J-Flat-Option disponibbli

     

 

Stampa tal-Prodott

4 11

4

Għaliex Agħżelna

 

Il-prodotti tagħna jinxtraw esklussivament mill-aqwa ħames manifatturi fid-dinja u fabbriki domestiċi ewlenin. Appoġġjat minn timijiet tekniċi domestiċi u internazzjonali b'ħiliet kbar u miżuri stretti ta 'kontroll tal-kwalità.

L-għan tagħna huwa li nipprovdu lill-klijenti appoġġ komprensiv wieħed għal wieħed, li niżguraw kanali ta 'komunikazzjoni bla xkiel li huma professjonali, f'waqthom u effiċjenti. Noffru kwantità minima ta 'ordni baxxa u niggarantixxu kunsinna rapida fi żmien 24 siegħa.

 

Uri tal-Fabbrika

 

L-inventarju vast tagħna jikkonsisti fi 1000+ prodotti, li jiżguraw li l-klijenti jkunu jistgħu jagħmlu ordnijiet għall-inqas biċċa waħda. It-tagħmir tagħna għal rashom għal dicing u backgrinding, u kooperazzjoni sħiħa fil-katina industrijali globali jippermettulna ġarr fil-pront biex niżguraw sodisfazzjon u konvenjenza tal-klijent one-stop.

01
02
03

 

Iċ-Ċertifikat tagħna

 

Il-kumpanija tagħna kburi ċ-ċertifikazzjonijiet varji li ksibna, inkluż iċ-ċertifikat tal-privattiva tagħna, iċ-ċertifikat ISO9001, u ċ-ċertifikat ta 'Intrapriża Nazzjonali ta' Teknoloġija Għolja. Dawn iċ-ċertifikazzjonijiet jirrappreżentaw id-dedikazzjoni tagħna għall-innovazzjoni, il-ġestjoni tal-kwalità, u l-impenn għall-eċċellenza.

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14

 

It-tags Popolari: sottostrat tal-gallju arsenide, iċ-Ċina gallju arsenide sottostrat manifatturi, fornituri, fabbrika